Kalna, S.: шукати на сайті Z-Library

Microelectronics Reliability

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.54 MB

english, 2017

Operational frequency degradation induced trapping in scaled GaN HEMTs

Ubochi, Brendan, Faramehr, Soroush, Ahmeda, Khaled, Igić, Petar, Kalna, Karol

Журнал:

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.00 MB

english, 2017

A Parametric Technique for Trap Characterization in AlGaN/GaN HEMTs

Duffy, S. J., Benbakhti, B., Zhang, W., Ahmeda, K., Kalna, K., Boucherta, M., Mattalah, M., Chahdi, H. O., Bourzgui, N. E., Soltani, A.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.45 MB

2020

Special Issue: Nanowire Field-Effect Transistor (FET)

Seoane, Natalia, GarcÃa-Loureiro, Antonio, Kalna, Karol

Журнал:

Materials

Рік:

2020

Файл:

PDF, 190 KB

2020

Impact of interface state trap density on the performance characteristics of different III–V MOSFET architectures

B. Benbakhti, J.S. Ayubi-Moak, K. Kalna, D. Lin, G. Hellings, G. Brammertz, K. De Meyer, I. Thayne, A. Asenov

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 730 KB

english, 2010

Nonequilibrium and ballistic transport, and backscattering in decanano HEMTs: a Monte Carlo simulation study

K. Kalna, A. Asenov

Журнал:

Mathematics and Computers in Simulation

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 157 KB

english, 2003

Impact of intrinsic parameter fluctuations on the performance of HEMTs studied with a 3D parallel drift-diffusion simulator

N. Seoane, A.J. García-Loureiro, K. Kalna, A. Asenov

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 461 KB

english, 2007

Effects of Self-Heating on Performance Degradation in AlGaN/GaN-Based Devices

Benbakhti, B., Soltani, A., Kalna, K., Rousseau, M., De Jaeger, J.-C.

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 832 KB

english, 2009

The New Danube Bridge in Bratislava — Requirements on Materials and Fabrication of Bridge Structure

K. Kálna, M. Vitásek

Журнал:

Welding in the World

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 774 KB

english, 2005

Problems in using steels with a higher yield limit for welded structures

Kalna, K

Журнал:

Welding International

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 542 KB

english, 1993

The brittle fracture resistance of damaged gas transmission pipes

Kalna, K, Piussi, V

Журнал:

Welding International

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 283 KB

english, 1989

Controlling the Electrical Transport Properties of Nanocontacts to Nanowires

Lord, Alex M., Maffeis, Thierry G., Kryvchenkova, Olga, Cobley, Richard J., Kalna, Karol, Kepaptsoglou, Despoina M., Ramasse, Quentin M., Walton, Alex S., Ward, Michael B., Köble, Jürgen, Wilks, Steve

Журнал:

Nano Letters

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.33 MB

english, 2015

[AIP CHARACTERIZATION AND METROLOGY FOR NANOELECTRONICS: 2007 International Conference on Frontiers of Characterization and Metrology - Gaithersburg, MD (27-29 March 2007)] AIP Conference Proceedings - Direct Monitoring of EOT-J[sub LEAK] Characteristics for SiON and High-k Gate Dielectrics

Hillard, Robert J., Kalnas, Christine, Umeda, H., Seiler, David G., Diebold, Alain C., McDonald, Robert, Garner, C. Michael, Herr, Dan, Khosla, Rajinder P., Secula, Erik M.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 481 KB

english, 2007

Multi-scale Simulations of Metal-Semiconductor Nanoscale Contacts

Aldegunde, M, Hepplestone, S P, Sushko, P V, Kalna, K

Журнал:

Journal of Physics Conference Series

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.02 MB

english, 2015

Simulation study of scaled In 0.53 Ga 0.47 As and Si FinFETs for sub-16 nm technology nodes

Seoane, N, Aldegunde, M, Nagy, D, Elmessary, M A, Indalecio, G, García-Loureiro, A J, Kalna, K

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.83 MB

english, 2016

Metal Grain Granularity Study on a Gate-All-Around Nanowire FET

Nagy, Daniel, Indalecio, Guillermo, Garcia-Loureiro, Antonio J., Elmessary, Muhammad A., Kalna, Karol, Seoane, Natalia

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.75 MB

english, 2017

[IEEE 2017 IEEE International Conference on Microwaves, Antennas, Communications and Electronic Systems (COMCAS) - Tel-Aviv (2017.11.13-2017.11.15)] 2017 IEEE International Conference on Microwaves, Antennas, Communications and Electronic Systems (COMCAS) - Buffer trapping effects on knee walkout in GaN HEMTs

Ubochi, B., Ahmeda, K., Kalna, K.

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 592 KB

english, 2017

Narrowing of band gap at source/drain contact scheme of nanoscale InAs–nMOS

Mohamed, A.H., Oxland, R., Aldegunde, M., Hepplestone, S.P., Sushko, P.V., Kalna, K.

Журнал:

Adenekan, Olujide, Holland, Paul, Kalna, Karol

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 591 KB

english, 2018

Optimisation of lateral super-junction multi-gate MOSFET for high drive current and low specific on-resistance in sub-100 V applications

Журнал:

Microelectronics Journal

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.19 MB

english, 2018

The transcription factor ERG regulates a low shear stress-induced anti-thrombotic pathway in the microvasculature

Peghaire, C., Dufton, N. P., Lang, M., Salles-Crawley, I. I., Ahnström, J., Kalna, V., Raimondi, C., Pericleous, C., Inuabasi, L., Kiseleva, R., Muzykantov, V. R., Mason, J. C., Birdsey, G. M., Randi,

Журнал:

Nature Communications

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.38 MB

english, 2019

The role of SiN/GaN cap interface charge and GaN cap layer to achieve enhancement mode GaN MIS-HEMT operation

Ahmeda, K., Ubochi, B., Alqaysi, M.H., Al-Khalidi, A., Wasige, E., Kalna, K.

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2020

Файл:

PDF, 861 KB

2020

Nanotopographical stimulation of mechanotransduction and changes in interphase centromere positioning

Matthew J. Dalby, Manus J.P. Biggs, Nikolaj Gadegaard, Gabriela Kalna, Chris D.W. Wilkinson, Adam S.G. Curtis

Журнал:

Journal of Cellular Biochemistry

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 457 KB

english, 2007

Efficient three-dimensional parallel simulations of PHEMTs

A. J. García-Loureiro, K. Kalna, A. Asenov

Журнал:

International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.86 MB

english, 2005

Characterization of freeze-dried alumina powders using electron microscopy

I.K. Lloyd, J.R. Blachere, L.A. Beyer, C.E. Kalnas, P.A. Mairet

Журнал:

Ultramicroscopy

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 835 KB

english, 1989

Simulation of implant free III-V MOSFETs for high performance low power Nano-CMOS applications

A. Asenov, K. Kalna, I. Thayne, R.J.W. Hill

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.08 MB

english, 2007

Effect of interface state trap density on the characteristics of n-type, enhancement-mode, implant-free In0.3Ga0.7As MOSFETs

J. Ayubi-Moak, B. Benbakhti, K. Kalna, G.W. Paterson, R. Hill, M. Passlack, I. Thayne, A. Asenov

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 390 KB

english, 2009

Design and analysis of the As implant-free quantum-well device structure

Brahim Benbakhti, Karol Kalna, KahHou Chan, Ewan Towie, Geert Hellings, Geert Eneman, Kristin De Meyer, Marc Meuris, Asen Asenov

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 553 KB

english, 2011

Monte Carlo simulations of InGaAs nano-MOSFETs

K. Kalna, R. Droopad, M. Passlack, A. Asenov

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 429 KB

english, 2007

Monte Carlo simulations of InGaAs nano-MOSFETs

K. Kalna, R. Droopad, M. Passlack, A. Asenov

Журнал:

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 345 KB

english, 2007

A study of the interface roughness effect in Si nanowires using a full 3D NEGF approach

A. Martinez, K. Kalna, J.R. Barker, A. Asenov

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 688 KB

english, 2007

Role of multiple delta doping in PHEMTs scaled to sub-100 nm dimensions

K. Kalna, A. Asenov

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 473 KB

english, 2004

Numerical analysis of the new Implant-Free Quantum-Well CMOS: DualLogic approach

Brahim Benbakhti, KahHou Chan, Ewan Towie, Karol Kalna, Craig Riddet, Xingsheng Wang, Geert Eneman, Geert Hellings, Kristin De Meyer, Marc Meuris, Asen Asenov

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 961 KB

english, 2011

Scaling of pseudomorphic high electron mobility transistors to decanano dimensions

K. Kalna, S. Roy, A. Asenov, K. Elgaid, I. Thayne

Журнал:

Mechanism and Machine Theory

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 357 KB

english, 2002

Incorporating uncertainty into mechanism synthesis

R.S Kalnas, S Kota

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 279 KB

english, 2001

Role of ion beam assisted deposition in the synthesis and fracture of metal-ceramic multilayers

G.S. Was, J.W. Jones, C.E. Kalnas, L.J. Parfitt, M. Goldiner

Журнал:

Surface and Coatings Technology

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.82 MB

english, 1994

Impact of strain on scaling of Double Gate nanoMOSFETs using NEGF approach

A. Martinez, K. Kalna, A. Svizhenko, M. P. Anantram, J. R. Barker, A. Asenov

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 358 KB

english, 2008

Impact of the field induced polarization space-charge on the characteristics of AlGaN/GaN HEMT: Self-consistent simulation study

D. Balaz, K. Kalna, M. Kuball, M. J. Uren, A. Asenov

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 408 KB

english, 2009

Influence of stress concentrators on the fatigue and fracture characteristics of steels and welded joints

K. Kálna

Журнал:

Materials Science (Springer)

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 546 KB

english, 1998

Statistical study of the effect of interface charge fluctuations in HEMTs using a 3D simulator

N. Seoane, A. J. García-Loureiro, K. Kalna, A. Asenov

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 422 KB

english, 2006

Study of fluctuations in advanced MOSFETs using a 3D finite element parallel simulator

M. Aldegunde, A. J. García-Loureiro, K. Kalna, A. Asenov

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.12 MB

english, 2006

Atomistic effect of delta doping layer in a 50 nm InP HEMT

N. Seoane, A. J. García-Loureiro, K. Kalna, A. Asenov

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 666 KB

english, 2006

Random dopant related variability in the 30

Natalia Seoane, A. J. García-Loureiro, K. Kalna, A. Asenov

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 610 KB

english, 2008

NEGF simulations of the effect of strain on scaled double gate nanoMOSFETs

Karol Kalna, Antonio Martinez, A. Svizhenko, M. P. Anantram, J. R. Barker, A. Asenov

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 492 KB

english, 2008

Tetrahedral elements in self-consistent parallel 3D Monte Carlo simulations of MOSFETs

M. Aldegunde, A. J. García-Loureiro, A. Martinez, K. Kalna

Журнал: